A IBM apresentou uma tecnologia de semicondutores que permite construir chips com uma arquitetura de 0,7 nanómetros (7 angstroms), a primeira abaixo de 1 nm. Em testes de protótipo, o design oferece um desempenho até 50% superior ou uma eficiência energética 70% maior face ao nó de 2 nm da própria empresa, cuja produção em massa começou no final de 2025. As ações da IBM subiram mais de 6% nas negociações pré-mercado após o anúncio.

O avanço assenta numa arquitetura tridimensional batizada de “nanostack”, que empilha camadas de transístores em vez de as dispor num único plano. Isto permite acomodar cerca de 100 mil milhões de transístores numa pastilha do tamanho de uma unha, o dobro da densidade do chip de 2 nm. A empresa afirma que a tecnologia também melhora em 40% o desempenho de memórias SRAM, um ganho que, segundo o vice-presidente de semicondutores Huiming Bu, não se via “há décadas”. A IBM projeta que esta abordagem poderá sustentar a miniaturização até à escala de 0,1 nm (1 angstrom) por volta de 2040.

A IBM não fabrica chips em volume; o seu modelo consiste em licenciar as tecnologias a fabricantes. Atualmente, concentra-se na implantação do nó de 2 nm com parceiros como a taiwanesa TSMC — que já produz em massa esses chips e planeia saltar para 1,4 nm em 2028 — e a japonesa Rapidus, que iniciará a produção em larga escala no segundo semestre de 2027. O anúncio surge num momento de forte competição global, com a Intel a colocar em produção de risco o seu processo 18A (1,8 nm). Para os países lusófonos, importadores líquidos de tecnologia, a evolução da capacidade de computação tem impacto direto na infraestrutura de centros de dados que suporta serviços de inteligência artificial e computação em nuvem.

A tecnologia de 0,7 nm ainda não está pronta para a indústria; a IBM vê um caminho para a produção em série “não antes de cinco anos”. O próximo marco concreto será a transição do protótipo para acordos de licenciamento com fabricantes, enquanto a indústria acompanha a execução dos planos da TSMC para 1,4 nm e a evolução da produção de 2 nm pela Rapidus.