Исследовательское подразделение IBM в четверг продемонстрировало прототип полупроводниковой технологии, которая, по заявлению компании, позволяет разместить почти 100 млрд транзисторов на кристалле размером с ноготь — вдвое больше, чем у самого передового на сегодня 2-нм техпроцесса. В тестах опытные образцы показали прирост вычислительной мощности на 50% либо снижение энергопотребления на 70% относительно собственных 2-нм чипов IBM. Одновременно зафиксирован 40-процентный скачок быстродействия памяти SRAM — компонента, критичного для процессоров и графических ускорителей. Обозначение «0,7 нм» носит маркетинговый характер и отражает не физические размеры элементов, а расчётную плотность упаковки.

Ключевое отличие архитектуры, получившей название NanoStack, — переход от планарного размещения транзисторов к трёхмерной этажерке из нескольких слоёв. Такой подход, по оценке IBM, позволяет продолжить миниатюризацию вплоть до 0,1 нм (1 ангстрем) к 2040 году. В компании подчёркивают, что технология пригодна как для центральных (CPU), так и для графических процессоров (GPU), востребованных в системах искусственного интеллекта, а также для SRAM-памяти. Вице-президент по полупроводниковым исследованиям Хуэймин Бу назвал достигнутый в памяти прогресс «беспрецедентным за десятилетия».

IBM не занимается серийным выпуском чипов, а лицензирует разработки сторонним производителям. Сейчас компания сосредоточена на масштабировании 2-нм техпроцесса: его уже использует тайваньская TSMC, а японская Rapidus планирует начать массовое производство во втором полугодии 2027 года. TSMC, в свою очередь, намерена перейти к 1,4 нм в 2028 году. Таким образом, анонсированная технология встраивается в глобальную гонку за сохранение закона Мура на фоне растущих энергозатрат дата-центров, обслуживающих генеративный ИИ. Для российского рынка, остро зависящего от импорта микроэлектроники, появление ещё более плотных и энергоэффективных чипов в перспективе означает дальнейшее удорожание доступа к передовым вычислительным мощностям.

Промышленное внедрение 0,7-нм техпроцесса ожидается не ранее чем через пять лет. Партнёр для его производства пока не назван. Ближайший практический ориентир — запуск 1,4-нм линий TSMC в 2028 году и начало серийного выпуска 2-нм чипов на предприятиях Rapidus.