IBM presentó el jueves una tecnología de semiconductores que permite integrar cerca de 100.000 millones de transistores en una superficie del tamaño de una uña, el doble de la densidad de su chip de 2 nm anunciado en 2021. Según la compañía, el nuevo diseño ofrece un rendimiento hasta un 50% superior o una eficiencia energética un 70% mayor en comparación con la generación anterior, y mejora un 40% el desempeño de las memorias SRAM. Las acciones de IBM subieron más de un 6% en las operaciones previas a la apertura del mercado.

El avance se basa en una arquitectura tridimensional denominada 'nanostack', que apila verticalmente múltiples capas de transistores en lugar de disponerlos en un solo plano. La denominación '0,7 nm' es una escala teórica de densidad y no refleja el tamaño físico de los componentes. IBM indicó que esta tecnología traza un camino hacia la miniaturización extrema, con la posibilidad de alcanzar los 0,1 nm (un angstrom) hacia 2040.

Desde su centro de investigación en Armonk, Nueva York, IBM subrayó que la tecnología no está lista para la producción industrial y que la fabricación en serie podría comenzar en un plazo de cinco años. La empresa no produce chips por sí misma, sino que licencia sus diseños. Actualmente colabora con la japonesa Rapidus para escalar la producción de chips de 2 nm, cuyo inicio a gran escala está previsto para el segundo semestre de 2027. Por su parte, el fabricante taiwanés TSMC, líder mundial del sector, ya produce en masa los 2 nm y planea introducir el nodo de 1,4 nm en 2028, mientras que Intel ha iniciado la fase de pruebas de su proceso 18A (1,8 nm).

El anuncio se produce en un momento en que la industria busca sostener la ley de Moore y responder a la creciente demanda de cómputo para inteligencia artificial. La mayor densidad de transistores y la eficiencia energética resultan críticas para los centros de datos, que enfrentan un escrutinio cada vez mayor por su consumo eléctrico. IBM no ha revelado aún un socio fabricante para la tecnología 'nanostack' y concentra sus esfuerzos inmediatos en el despliegue del nodo de 2 nm. El siguiente hito concreto será la producción en volumen de los 1,4 nm por parte de TSMC, prevista para 2028.